技術(shù)層面，干法刻蝕是目前主流，原子層刻蝕為未來(lái)方向刻蝕技術(shù)按工藝分類可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，由于在刻蝕率、微粒損傷等方面具有較大的優(yōu)勢(shì)，干法刻蝕是目前主流技術(shù)。按被刻蝕材料特性不同，目前常用的方法可分為離子束刻蝕、等離子體刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕，其中電容性等離子體刻蝕(CCP)和電感性等離子體刻蝕(ICP)兩種刻蝕設(shè)備基本覆蓋目前主要的刻蝕應(yīng)用。不過(guò)隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，受光波長(zhǎng)限制，關(guān)鍵尺寸無(wú)法滿足要求，必須采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加，10 納米工藝和7 納米工藝所需刻蝕步驟更是超過(guò)100 次。原子層刻蝕能夠精密控制被去除材料量而不影響其他部分，能較好解決等離子刻蝕刻蝕速率差異與下層材料損傷等問(wèn)題，未來(lái)有望發(fā)展為新一代主流刻蝕技術(shù)。

市場(chǎng)層面，刻蝕設(shè)備行業(yè)集中度高，發(fā)展空間廣闊2021 年中國(guó)大陸以296 億美元設(shè)備銷售額連續(xù)第二年成為全球半導(dǎo)體設(shè)備最大市場(chǎng)，目前全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)主要被國(guó)外企業(yè)占據(jù)，2021 年全球前十五大半導(dǎo)體設(shè)備廠商排名中僅有ASM Pacific Technology 來(lái)自中國(guó)香港，排名第14 位。設(shè)備投資額方面，刻蝕設(shè)備在晶圓加工設(shè)備投資中占比22.14%，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中“第一大設(shè)備”。目前全球刻蝕設(shè)備行業(yè)的龍頭企業(yè)仍然為泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家，2020 年三家企業(yè)合計(jì)市場(chǎng)份額占到了全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的90%以上，其中泛林半導(dǎo)體獨(dú)占44.7%的市場(chǎng)份額。根據(jù)SEMI 的預(yù)測(cè)，2022 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1140 億美元，我們預(yù)計(jì)2022 年全球刻蝕設(shè)備規(guī)模將達(dá)到250.8 億美元，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到75.24 億美元。

未來(lái)看點(diǎn)：先進(jìn)制程不斷突破，國(guó)產(chǎn)替代未來(lái)可期2014 年9 月成立的大基金一期經(jīng)過(guò)5 年投資布局目前已進(jìn)入回收期，在大基金助力下，國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備企業(yè)已實(shí)現(xiàn)部分先進(jìn)制程突破，涌現(xiàn)出一批技術(shù)領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。大基金二期成立于2019 年10 月22 日，注冊(cè)資本為2041.5億元，接力一期進(jìn)行投資布局，我們預(yù)測(cè)，其重點(diǎn)可能傾斜設(shè)備和材料方向，將對(duì)包括光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、測(cè)試設(shè)備等領(lǐng)域企業(yè)提供進(jìn)一步支持，幫助龍頭企業(yè)鞏固自身市場(chǎng)地位。預(yù)計(jì)將會(huì)帶動(dòng)萬(wàn)億級(jí)別社會(huì)投資。從下游應(yīng)用來(lái)看，目前我國(guó)5G 建設(shè)仍處于高速發(fā)展階段，考慮到“雙碳”政策下鋰電、光伏需求長(zhǎng)期向好，看好國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程閉環(huán)供應(yīng)加速建設(shè)，我們認(rèn)為刻蝕設(shè)備具備較大投資價(jià)值。